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C3M0120100K

C3M0120100K
Mfr. #:
C3M0120100K
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
C3M0120100K Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
C3M0120100K Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
120 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.8 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
15 V, - 4 V
Qg - Gate-Ladung:
21.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
83 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Wolfspeed / Cree
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
7.7 S
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
15 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
31 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
C3M01, C3M0, C3M
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Mosfet, N-Ch, 1Kv, 22A, To-247-4 Rohs Compliant: Yes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
C3M0120100K Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed / Cree C3M0120100K Silicon Carbide Power MOSFET has 1kV in an optimized package suitable for fast switching devices. The C3M0120100K enhanced four lead TO-247-4 package provides lower switching losses with minimal gate circuit ringing due to the Kelvin gate connection. This increases creepage distance to best support operation of these higher voltage discrete devices. Optimized for electric-vehicle charging systems, and three-phase industrial power supplies, the 1kV device addresses many power design challenges by providing a unique device. C3M0120100K has low on-Resistance, very low output capacitance and low source inductance for a perfect blend of low switching losses and low conduction losses. Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
C3M0120100K
DISTI # V99:2348_17016192		Cree, Inc.1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET549
  • 100:$6.9430
  • 25:$7.0670
  • 10:$7.8520
  • 1:$9.5975
C3M0120100K
DISTI # C3M0120100K-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		433In Stock
  • 100:$8.7248
  • 1:$8.7500
C3M0120100K
DISTI # 30730036		Cree, Inc.1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET549
  • 1:$9.5975
C3M0120100K
DISTI # 05AC8339		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-247-4 ROHS COMPLIANT: YES30
  • 1:$7.6000
  • 10:$7.6000
  • 25:$7.6000
  • 50:$7.6000
  • 100:$7.6000
  • 250:$7.6000
  • 500:$7.6000
C3M0120100K
DISTI # 941-C3M0120100K		Cree, Inc.MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
RoHS: Compliant		924
  • 1:$8.7500
  • 100:$8.4100
  • 500:$8.0000
C3M0120100K
DISTI # 2687504		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-247-4
RoHS: Compliant		1015
  • 1:$14.6000
C3M0120100K
DISTI # 2687504		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-247-4
RoHS: Compliant		1015
  • 100:£6.1800
  • 50:£6.2400
  • 10:£6.2900
  • 5:£6.3500
  • 1:£7.2300
C3M0120100K
DISTI # C3M0120100K		WolfspeedSILICON CARBIDE MOSFETS
RoHS: Compliant		0
  • 1:$7.5700
  • 11:$7.3400
  • 51:$7.0300
Bild Teil # Beschreibung
LTC7001EMSE#PBF

Mfr.#: LTC7001EMSE#PBF

OMO.#: OMO-LTC7001EMSE-PBF

 Gate Drivers Fast 150V Hi Side NMOS Static Switch Drv
C2M0080120D

Mfr.#: C2M0080120D

OMO.#: OMO-C2M0080120D

 MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
IPB107N20NAXT

Mfr.#: IPB107N20NAXT

OMO.#: OMO-IPB107N20NAXT

 MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2
LSIC1MO120E0080

Mfr.#: LSIC1MO120E0080

OMO.#: OMO-LSIC1MO120E0080

 MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
C3M0120090D

Mfr.#: C3M0120090D

OMO.#: OMO-C3M0120090D

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
SCT3080KLGC11

Mfr.#: SCT3080KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3080KLGC11

 MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
FTL.00.250.NTF

Mfr.#: FTL.00.250.NTF

OMO.#: OMO-FTL-00-250-NTF-LEMO

 Circular Push Pull Connectors T-PLUG W 2 RECEPTACLES
SCT3080KLGC11

Mfr.#: SCT3080KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3080KLGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
PR01000102707JA500

Mfr.#: PR01000102707JA500

OMO.#: OMO-PR01000102707JA500-VISHAY

 Metal Film Resistors - Through Hole 1watt .27ohms 5%
C2M0080120D

Mfr.#: C2M0080120D

OMO.#: OMO-C2M0080120D-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Verfügbarkeit
Aktie:
924
Auf Bestellung:
2907
Menge eingeben:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,75 $
8,75 $
100
8,41 $
841,00 $
500
8,00 $
4 000,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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