LSIC1MO120E0080

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Littelfuse

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

39 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, - 5 V

Qg - Gate-Ladung:

95 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

179 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

LSIC1MO

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Littelfuse

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

LSIC1MO12, LSIC1, LSIC, LSI