IRF9952PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Abfallzeit:

3 ns, 6.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.8 ns, 14 ns

Werkspackungsmenge:

95

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.2 ns, 9.7 ns

Teil # Aliase:

SP001566518

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF9952, IRF995, IRF99, IRF9, IRF