BSC090N03MSGXT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

48 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

32 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

28 S

Abfallzeit:

5.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

BSC090N03MS BSC090N03MSGATMA1 G SP000313120

Tags

BSC090N03MSG, BSC090N03M, BSC090N, BSC090, BSC09, BSC0, BSC