DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7
Mfr. #:
DMN61D9UWQ-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN61D9UWQ-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
340 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.2 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
500 mV
Vgs - Gate-Source-Spannung:
5 V
Qg - Gate-Ladung:
400 pC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
440 mW
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Qualifikation:
AEC-Q101
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Eingebaute Dioden
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
200 mS
Abfallzeit:
8.4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
1.8 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
14.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
2.1 ns
Tags
DMN61D9UW, DMN61D9, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et Europe
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 60V 340mA 3-Pin SOT-323 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Automotive MOSFETs
Diodes Incorporated Automotive MOSFETs meet the stringent requirements of the AEC-Q101 reliability standard of the Automotive Electronics Council. Products with a 'Q' suffix indicate that the product is Automotive grade. This means the device has passed the rigorous AEC-Q101 standard and is fully supported for Automotive applications. The MOSFETs support customers with the PPAP (Production Part Approval Process), and TS16949 approved manufacturing sites.
Bild Teil # Beschreibung
DMN61D9UWQ-13

Mfr.#: DMN61D9UWQ-13

OMO.#: OMO-DMN61D9UWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMN61D9UWQ-7

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MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMN61D9UW-7

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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
DMN61D8LVT-13

Mfr.#: DMN61D8LVT-13

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MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D8LQ-7

Mfr.#: DMN61D8LQ-7

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
DMN61D8L-7

Mfr.#: DMN61D8L-7

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Darlington Transistors MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
DMN61D8LVTQ-7

Mfr.#: DMN61D8LVTQ-7

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IGBT Transistors MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
DMN61D8LVT-13

Mfr.#: DMN61D8LVT-13

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MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D8L-13

Mfr.#: DMN61D8L-13

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MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D9U-7

Mfr.#: DMN61D9U-7

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MOSFET N-CH 60V 0.38A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1989
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10
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2,23 $
100
0,10 $
9,60 $
1000
0,07 $
74,00 $
3000
0,06 $
168,00 $
9000
0,05 $
450,00 $
24000
0,05 $
1 128,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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