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TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG0S3HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58NYG0S3HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TC58NYG0S3HBAI6 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VFBGA-67
Speichergröße:
1 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
128 M x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
338
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TC58NYG0, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***akorn
NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
***et
1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
***S
vpe: 253/tray/bga
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6-ND		Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 338:$2.8107
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6		Toshiba America Electronic Components1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG0S3HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 338:$2.1900
  • 676:$2.1900
  • 1352:$2.0900
  • 2028:$2.0900
  • 3380:$2.0900
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # 757-TC58NYG0S3HBAI6		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		338
  • 1:$3.0600
  • 10:$2.7500
  • 50:$2.7000
  • 100:$2.4100
  • 250:$2.3400
  • 500:$2.3300
  • 1000:$2.1700
  • 2500:$2.1300
Bild Teil # Beschreibung
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TRAY-1190

 Neu und Original
TC58NYG1S8HBAI6JD2

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6JD2

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6JD2-1190

 Neu und Original
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0FBAI4-1190

 Neu und Original
TC58NYG2S3ETAI0B3H

Mfr.#: TC58NYG2S3ETAI0B3H

OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAI0B3H-1190

 Neu und Original
TC58NYG3S0FBAID

Mfr.#: TC58NYG3S0FBAID

OMO.#: OMO-TC58NYG3S0FBAID-1190

 Neu und Original
TC58NYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG2S0HBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 Flash Memory 4Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG1S3HBAI6-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-ND-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
338
Auf Bestellung:
2321
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Stückpreis
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1
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2,77 $
10
2,49 $
24,90 $
25
2,45 $
61,25 $
50
2,44 $
122,00 $
100
2,18 $
218,00 $
250
2,11 $
527,50 $
500
2,10 $
1 050,00 $
1000
1,96 $
1 960,00 $
2500
1,87 $
4 675,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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