GS66516T-E02-MR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

GaN-Systeme

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

GaN

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

GaNPX-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

25 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

7 V

Qg - Gate-Ladung:

12 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.54 mm

Länge:

9 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

GS66516x

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

7.6 mm

Marke:

GaN-Systeme

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

GS66516T-E02-MR

Tags

GS665, GS66, GS6