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IPP08CN10N G

IPP08CN10N G
Mfr. #:
IPP08CN10N G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 95A TO220-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPP08CN10N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPP08CN10N G DatasheetIPP08CN10N G Datasheet (P4-P6)IPP08CN10N G Datasheet (P7-P9)IPP08CN10N G Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
8.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
167 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
6 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
15 ns
Teil # Aliase:
IPP08CN10NGXK
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
IPP08CN10NG, IPP08CN10N, IPP08CN10, IPP08CN1, IPP08C, IPP08, IPP0, IPP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220
***nell
MOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N; Current Id Max:95A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:167W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO220; No. of Pins:3; Transistor Type:Power MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPP08CN10N G
DISTI # IPP08CN10NGIN-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 95A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPP08CN10NGE8171AKSA1
    DISTI # SP000464474    		Infineon Technologies AG(Alt: SP000464474)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1    		Europe - 0
    • 1000:€0.9919
    • 500:€1.0099
    • 100:€1.0259
    • 50:€1.0439
    • 25:€1.1189
    • 10:€1.3459
    • 1:€1.7279
    IPP08CN10N G
    DISTI # 726-IPP08CN10NG    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 95A TO220-3
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      IPP08CNE8N G

      Mfr.#: IPP08CNE8N G

      OMO.#: OMO-IPP08CNE8N-G

      		 MOSFET N-Ch 85V 95A TO220-3
      IPP08CN10L G

      Mfr.#: IPP08CN10L G

      OMO.#: OMO-IPP08CN10L-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
      IPP08CNE8N G

      Mfr.#: IPP08CNE8N G

      OMO.#: OMO-IPP08CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
      IPP08CN10L

      Mfr.#: IPP08CN10L

      OMO.#: OMO-IPP08CN10L-1190

      		 Neu und Original
      IPP08CN10LG

      Mfr.#: IPP08CN10LG

      OMO.#: OMO-IPP08CN10LG-1190

      		 Neu und Original
      IPP08CN10N

      Mfr.#: IPP08CN10N

      OMO.#: OMO-IPP08CN10N-1190

      		 Neu und Original
      IPP08CN10NG

      Mfr.#: IPP08CN10NG

      OMO.#: OMO-IPP08CN10NG-1190

      		 Neu und Original
      IPP08CN10NG,IPP08CN10N,0

      Mfr.#: IPP08CN10NG,IPP08CN10N,0

      OMO.#: OMO-IPP08CN10NG-IPP08CN10N-0-1190

      		 Neu und Original
      IPP08CN15N

      Mfr.#: IPP08CN15N

      OMO.#: OMO-IPP08CN15N-1190

      		 Neu und Original
      IPP08CNE8NG

      Mfr.#: IPP08CNE8NG

      OMO.#: OMO-IPP08CNE8NG-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 85V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4500
      Menge eingeben:
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