DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7
Mfr. #:
DMN3016LDN-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN3016LDN-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
DMN3016LDN-7 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Eingebaute Dioden
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
DMN3016
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-PowerWDFN
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
V-DFN3030-8
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
1.1W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1415pF @ 15V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
7.3A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
25.1nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.6 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
5.6 ns 5.6 ns
Anstiegszeit
16.5 ns 16.5 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 20 V +/- 20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.3 A 7.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V 30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1.4 V 1.4 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
24 mOhms 24 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
26.1 ns 26.1 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
4.8 ns 4.8 ns
Qg-Gate-Ladung
25.1 nC 25.1 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
-
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
DMN3016LDN, DMN3016LD, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DMN3016LDN-7
DISTI # DMN3016LDN-7DICT-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
1671In Stock
  • 1000:$0.2311
  • 500:$0.2991
  • 100:$0.3807
  • 10:$0.5100
  • 1:$0.6000
DMN3016LDN-7
DISTI # DMN3016LDN-7DIDKR-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
Limited Supply - Call
    DMN3016LDN-7
    DISTI # DMN3016LDN-7DITR-ND
    Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)
    Temporarily Out of Stock
    • 3000:$0.2046
    DMN3016LDN-7
    DISTI # DMN3016LDN-7DI-ND
    Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)
    Temporarily Out of Stock
    • 3000:$0.2046
    DMN3016LDN-7
    DISTI # DMN3016LDN-7
    Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-8 T&R 3K - Tape and Reel (Alt: DMN3016LDN-7)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 3000:$0.1429
    • 6000:$0.1359
    • 12000:$0.1289
    • 18000:$0.1239
    • 30000:$0.1209
    DMN3016LDN-7
    DISTI # 621-DMN3016LDN-7
    Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
    RoHS: Compliant
    2867
    • 1:$0.5300
    • 10:$0.4340
    • 100:$0.2650
    • 1000:$0.2050
    DMN3016LDN-13
    DISTI # 621-DMN3016LDN-13
    Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-8 T&R 10K0
    • 1:$0.5300
    • 10:$0.4340
    • 100:$0.2650
    • 1000:$0.2050
    • 2500:$0.1740
    Bild Teil # Beschreibung
    DMN3016LSS-13

    Mfr.#: DMN3016LSS-13

    OMO.#: OMO-DMN3016LSS-13

    MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W
    DMN3016LPS-13

    Mfr.#: DMN3016LPS-13

    OMO.#: OMO-DMN3016LPS-13

    MOSFET N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
    DMN3016LFDE-7

    Mfr.#: DMN3016LFDE-7

    OMO.#: OMO-DMN3016LFDE-7

    MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
    DMN3018SFGQ-13

    Mfr.#: DMN3018SFGQ-13

    OMO.#: OMO-DMN3018SFGQ-13

    MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
    DMN3013LDG-13

    Mfr.#: DMN3013LDG-13

    OMO.#: OMO-DMN3013LDG-13

    MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
    DMN3018SFGQ-7

    Mfr.#: DMN3018SFGQ-7

    OMO.#: OMO-DMN3018SFGQ-7

    MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
    DMN3018SSS

    Mfr.#: DMN3018SSS

    OMO.#: OMO-DMN3018SSS-1190

    Neu und Original
    DMN3016LDV-7

    Mfr.#: DMN3016LDV-7

    OMO.#: OMO-DMN3016LDV-7-DIODES

    MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
    DMN3010LFG-13

    Mfr.#: DMN3010LFG-13

    OMO.#: OMO-DMN3010LFG-13-DIODES

    MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
    DMN3016LFDE13

    Mfr.#: DMN3016LFDE13

    OMO.#: OMO-DMN3016LFDE13-1190

    Small Signal Field-Effect Transisto
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    2000
    Menge eingeben:
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,18 $
    0,18 $
    10
    0,17 $
    1,72 $
    100
    0,16 $
    16,32 $
    500
    0,15 $
    77,05 $
    1000
    0,15 $
    145,10 $
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