IXTH12N150

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

106 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.46 mm

Länge:

16.26 mm

Serie:

IXTH12N150

Typ:

Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

53 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTH12N1, IXTH12N, IXTH12, IXTH1, IXTH, IXT