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IXTN660N04T4

IXTN660N04T4
Mfr. #:
IXTN660N04T4
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTN660N04T4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTN660N04T4 DatasheetIXTN660N04T4 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTN660N04T4 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Chassishalterung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
40 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
660 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
850 uOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10 V
Qg - Gate-Ladung:
860 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
1040 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Serie:
Gen4
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
110 S
Abfallzeit:
260 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
430 ns
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
386 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
40 ns
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
IXTN6, IXTN, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTN660N04T4
DISTI # V36:1790_19817252		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 660A 4-Pin SOT-227B Tube0
    IXTN660N04T4
    DISTI # IXTN660N04T4-ND    		IXYS Corporation40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube    		81In Stock
    • 500:$14.7840
    • 100:$16.6848
    • 30:$17.9520
    • 10:$19.5360
    • 1:$21.1200
    IXTN660N04T4
    DISTI # 747-IXTN660N04T4    		IXYS CorporationMOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
    RoHS: Compliant    		67
    • 1:$21.1200
    • 5:$20.0700
    • 10:$19.5300
    • 25:$17.9500
    • 50:$17.1900
    • 100:$16.6800
    • 200:$15.3100
    • 500:$14.5700
    Bild Teil # Beschreibung
    INA240A4EDRQ1

    Mfr.#: INA240A4EDRQ1

    OMO.#: OMO-INA240A4EDRQ1

    		 Current Sense Amplifiers WIDE CM BI-DIR CURRENT SHUNT MONITOR
    INA317IDGKR

    Mfr.#: INA317IDGKR

    OMO.#: OMO-INA317IDGKR

    		 Instrumentation Amplifiers LOW POWER INSTRUMENTATION AMP
    CMPT2222A TR

    Mfr.#: CMPT2222A TR

    OMO.#: OMO-CMPT2222A-TR

    		 Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose
    ZDT6702TA

    Mfr.#: ZDT6702TA

    OMO.#: OMO-ZDT6702TA

    		 Darlington Transistors NPN/PNP Darl 20V
    IXFN520N075T2

    Mfr.#: IXFN520N075T2

    OMO.#: OMO-IXFN520N075T2

    		 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
    DSS2X101-015A

    Mfr.#: DSS2X101-015A

    OMO.#: OMO-DSS2X101-015A

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 150V 2X100A
    BLED112-V1

    Mfr.#: BLED112-V1

    OMO.#: OMO-BLED112-V1

    		 Bluetooth Modules (802.15.1) Bluegiga BLED112 Bluetooth Low Energy USB Dongle ready for Linux, Android and Windows devices BLE 4.
    S8401-46

    Mfr.#: S8401-46

    OMO.#: OMO-S8401-46-HARWIN

    		 Battery Holders, Clips & Contacts Coin Cell Battery Holders EZ BDWR, SMT COIN CELL HOLDR CR2032 20
    IXFN520N075T2

    Mfr.#: IXFN520N075T2

    OMO.#: OMO-IXFN520N075T2-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
    INA317IDGKR

    Mfr.#: INA317IDGKR

    OMO.#: OMO-INA317IDGKR-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 LOW POWER INSTRUMENTATION AMP
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    286
    Auf Bestellung:
    2269
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    Der aktuelle Preis von IXTN660N04T4 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    21,12 $
    21,12 $
    5
    20,07 $
    100,35 $
    10
    19,53 $
    195,30 $
    25
    17,95 $
    448,75 $
    50
    17,19 $
    859,50 $
    100
    16,68 $
    1 668,00 $
    200
    15,31 $
    3 062,00 $
    500
    14,57 $
    7 285,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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