IRFW530AM

IRFW530AM
Mfr. #:
IRFW530AM
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFW530AM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Tags
IRFW530A, IRFW53, IRFW5, IRFW, IRF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFW530ATM
DISTI # 512-IRFW530ATM
ON SemiconductorMOSFET 100V N-Channel A-FET
RoHS: Compliant
0
    IRFW530ATMFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    RoHS: Compliant
    2166
    • 1000:$0.2800
    • 500:$0.2900
    • 100:$0.3000
    • 25:$0.3200
    • 1:$0.3400
    Bild Teil # Beschreibung
    IRFW510A

    Mfr.#: IRFW510A

    OMO.#: OMO-IRFW510A-1190

    Neu und Original
    IRFW610B

    Mfr.#: IRFW610B

    OMO.#: OMO-IRFW610B-1190

    Neu und Original
    IRFW610BTM

    Mfr.#: IRFW610BTM

    OMO.#: OMO-IRFW610BTM-1190

    Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
    IRFW614A

    Mfr.#: IRFW614A

    OMO.#: OMO-IRFW614A-1190

    Neu und Original
    IRFW640B

    Mfr.#: IRFW640B

    OMO.#: OMO-IRFW640B-1190

    INSTOCK
    IRFW710BTM

    Mfr.#: IRFW710BTM

    OMO.#: OMO-IRFW710BTM-1190

    Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    IRFW720B

    Mfr.#: IRFW720B

    OMO.#: OMO-IRFW720B-1190

    Neu und Original
    IRFW730B

    Mfr.#: IRFW730B

    OMO.#: OMO-IRFW730B-1190

    Neu und Original
    IRFW830ATM

    Mfr.#: IRFW830ATM

    OMO.#: OMO-IRFW830ATM-1190

    Neu und Original
    IRFW840BTM(WS)

    Mfr.#: IRFW840BTM(WS)

    OMO.#: OMO-IRFW840BTM-WS--1190

    Neu und Original
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    5500
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von IRFW530AM dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,00 $
    0,00 $
    10
    0,00 $
    0,00 $
    100
    0,00 $
    0,00 $
    500
    0,00 $
    0,00 $
    1000
    0,00 $
    0,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
    Beginnen mit
    Top