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IXFP16N60P3

IXFP16N60P3
Mfr. #:
IXFP16N60P3
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DISCMSFT NCHHIPERFET-POLAR3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFP16N60P3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFP16N60P3 DatasheetIXFP16N60P3 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFP16N60P3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
470 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
36 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
347 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
13 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
20 ns
Tags
IXFP16, IXFP1, IXFP, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFP16N60P3
DISTI # IXFP16N60P3-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 16A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		84In Stock
  • 2500:$1.8354
  • 500:$2.2908
  • 100:$2.8290
  • 50:$3.1050
  • 10:$3.4500
  • 1:$3.8600
Bild Teil # Beschreibung
IXFP12N50P

Mfr.#: IXFP12N50P

OMO.#: OMO-IXFP12N50P

 MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
IXFP14N60P3

Mfr.#: IXFP14N60P3

OMO.#: OMO-IXFP14N60P3

 MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
IXFP12N65X2

Mfr.#: IXFP12N65X2

OMO.#: OMO-IXFP12N65X2

 MOSFET 650V/12A TO-220
IXFP18N65X2M

Mfr.#: IXFP18N65X2M

OMO.#: OMO-IXFP18N65X2M

 MOSFET 650V/18A OVERMOLDED TO-220
IXFP14N60P

Mfr.#: IXFP14N60P

OMO.#: OMO-IXFP14N60P

 MOSFET 600V 14A
IXFP12N50PM

Mfr.#: IXFP12N50PM

OMO.#: OMO-IXFP12N50PM-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
IXFP14N85XM

Mfr.#: IXFP14N85XM

OMO.#: OMO-IXFP14N85XM-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
IXFP110N15T2

Mfr.#: IXFP110N15T2

OMO.#: OMO-IXFP110N15T2-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
IXFP16N50P

Mfr.#: IXFP16N50P

OMO.#: OMO-IXFP16N50P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 500V 16A
IXFP12N50P

Mfr.#: IXFP12N50P

OMO.#: OMO-IXFP12N50P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
Verfügbarkeit
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Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
4,44 $
4,44 $
10
3,97 $
39,70 $
25
3,45 $
86,25 $
50
3,38 $
169,00 $
100
3,25 $
325,00 $
250
2,78 $
695,00 $
500
2,63 $
1 315,00 $
1000
2,22 $
2 220,00 $
2500
1,90 $
4 750,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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