OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

IXTQ86N25T

IXTQ86N25T
Mfr. #:
IXTQ86N25T
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-3P (3)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTQ86N25T Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungs-MOSFET-Module
Typ:
Grabentor
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3P
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Rohr
Aufbau:
Single
Marke:
IXYS
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Abfallzeit:
25 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
86 A
Pd - Verlustleistung:
540 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
37 mOhms
Anstiegszeit:
28 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Handelsname:
Graben
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
22 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
250 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Tags
IXTQ8, IXTQ, IXT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
IXTQ82N25P

Mfr.#: IXTQ82N25P

OMO.#: OMO-IXTQ82N25P

 MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTQ88N15

Mfr.#: IXTQ88N15

OMO.#: OMO-IXTQ88N15

 MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds
IXTQ80N28

Mfr.#: IXTQ80N28

OMO.#: OMO-IXTQ80N28-1190

 Neu und Original
IXTQ80N28T

Mfr.#: IXTQ80N28T

OMO.#: OMO-IXTQ80N28T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
IXTQ82N27P

Mfr.#: IXTQ82N27P

OMO.#: OMO-IXTQ82N27P-1190

 Neu und Original
IXTQ88N30T

Mfr.#: IXTQ88N30T

OMO.#: OMO-IXTQ88N30T-1190

 Neu und Original
IXTQ88N30P

Mfr.#: IXTQ88N30P

OMO.#: OMO-IXTQ88N30P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTQ88N15

Mfr.#: IXTQ88N15

OMO.#: OMO-IXTQ88N15-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds
IXTQ82N25P

Mfr.#: IXTQ82N25P

OMO.#: OMO-IXTQ82N25P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTQ86N20T

Mfr.#: IXTQ86N20T

OMO.#: OMO-IXTQ86N20T-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXTQ86N25T dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
6,51 $
6,51 $
10
5,82 $
58,20 $
25
5,06 $
126,50 $
50
4,96 $
248,00 $
100
4,77 $
477,00 $
250
4,08 $
1 020,00 $
500
3,87 $
1 935,00 $
1000
3,26 $
3 260,00 $
2500
2,79 $
6 975,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
More Newest Products
Top