BSZ120P03NS3EGATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

52 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

BSZ120P03

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

22 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

BSZ120P03NS3E BSZ12P3NS3EGXT G SP000709730

Tags

BSZ120P03NS3E, BSZ120P03NS, BSZ120P, BSZ120, BSZ12, BSZ1, BSZ