SISB46DN-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-1212-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

34 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.71 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 16 V, 20 V

Qg - Gate-Ladung:

22 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

23 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

SIS

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

52 S

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

56 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Tags

SISB, SIS