SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F
Mfr. #:
SSM3J35AMFV,L3F
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SSM3J35AMFV,L3F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
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ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-723-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
P-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
250 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.1 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10 V
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
500 mW (1/2 W)
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 P-Channel
Marke:
Toshiba
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
430 mS
Abfallzeit:
145 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
42 ns
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
420 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
17 ns
Gewichtseinheit:
0.000053 oz
Tags
SSM3J35A, SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
***et
P-Channel MOSFET 20V Drain to Source Voltage 250mA DC Drain Current 500mW Power Dissipation Surface Mount 3-Pin SOT-723 T/R
***i-Key
X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
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Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Applications include mobile devices (wearable device, smart phone, tablet PC, etc.), load switches, DC-DC converters, and general purpose switches. 
Bild Teil # Beschreibung
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Aktie:
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Auf Bestellung:
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