TP90H180PS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Transphorm

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

GaN-Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

900 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

205 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

18 V

Qg - Gate-Ladung:

10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

78 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Transphorm

Abfallzeit:

7.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Tags

TP90, TP9