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SIHF520STRR-GE3

SIHF520STRR-GE3
Mfr. #:
SIHF520STRR-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHF520STRR-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
270 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
16 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
60 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Vishay / Siliconix
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
2.7 S
Abfallzeit:
20 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
30 ns
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
8.8 ns
Tags
SIHF52, SIHF5, SIHF, SIH
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
SIHF520STRR-GE3

Mfr.#: SIHF520STRR-GE3

OMO.#: OMO-SIHF520STRR-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF520STRL-GE3

Mfr.#: SIHF520STRL-GE3

OMO.#: OMO-SIHF520STRL-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF520

Mfr.#: SIHF520

OMO.#: OMO-SIHF520-1190

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