STW55NM50N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

54 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

54 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.15 mm

Länge:

15.75 mm

Serie:

STW55NM50N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

250 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW55NM, STW55, STW5, STW