SQ1470AEH-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

5.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.1 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

SQ1470A, SQ1470, SQ147, SQ14, SQ1