IPS65R1K0CEAKMA2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

PG-TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

15.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

68 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

13.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.2 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

41 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.6 ns

Teil # Aliase:

IPS65R1K0CE SP001724356

Tags

IPS65R1K0CEA, IPS65R1K0, IPS65R1, IPS65R, IPS65, IPS6, IPS