IXFH52N30Q

IXFH52N30Q
Mfr. #:
IXFH52N30Q
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 300V 52A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH52N30Q Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH52N30Q Datasheet
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFH52N30Q Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
300 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
52 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
360 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Serie:
IXFH52N30
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
35 S
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
60 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
27 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXFH52N3, IXFH52, IXFH5, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-247
***ark
Mosfet, N, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:300V; Continuous Drain Current Id:52A; On Resistance Rds(On):0.06Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4Vrohs Compliant: Yes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH52N30Q
DISTI # V36:1790_17756072
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
10
  • 510:$8.9680
  • 120:$10.6070
  • 30:$11.6540
  • 1:$13.6110
IXFH52N30Q
DISTI # IXFH52N30Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
111In Stock
  • 510:$8.7725
  • 120:$10.2850
  • 30:$11.1927
  • 1:$13.3100
IXFH52N30Q
DISTI # 31280049
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
10
  • 1:$13.6110
IXFH52N30Q
DISTI # 38K3176
IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:52A,Drain Source Voltage Vds:300V,On Resistance Rds(on):0.06ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4V,Power Dissipation Pd:360W,MSL:-RoHS Compliant: Yes60
    IXFH52N30Q
    DISTI # 747-IXFH52N30Q
    IXYS CorporationMOSFET 300V 52A
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$15.3100
    • 10:$13.9200
    • 25:$12.8700
    • 50:$11.8400
    • 100:$11.5500
    • 250:$10.5900
    • 500:$9.6100
    IXFH52N30Q
    DISTI # 7347952
    IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
    RoHS: Compliant
    60
    • 100:£8.8200
    • 50:£9.0300
    • 10:£9.6300
    • 5:£11.4500
    • 1:£11.8600
    IXFH52N30Q
    DISTI # 7347952
    IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
    RoHS: Compliant
    60
    • 510:$15.3900
    • 120:$18.0400
    • 30:$19.6300
    • 1:$23.3400
    Bild Teil # Beschreibung
    GS74108AGP-12

    Mfr.#: GS74108AGP-12

    OMO.#: OMO-GS74108AGP-12

    SRAM 3.3V 512K x 8 4M C Temp
    BQ24296RGER

    Mfr.#: BQ24296RGER

    OMO.#: OMO-BQ24296RGER

    Battery Management I2C Cntl 3A SGL Cell USB NVDC-1 Charger
    APT6025BVRG

    Mfr.#: APT6025BVRG

    OMO.#: OMO-APT6025BVRG

    MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247, RoHS
    FSA4476UCX

    Mfr.#: FSA4476UCX

    OMO.#: OMO-FSA4476UCX

    USB Switch ICs USB/AUDIO SWITCH W/ OVP FOR USB TYPE-C
    LMR14206XMK/NOPB

    Mfr.#: LMR14206XMK/NOPB

    OMO.#: OMO-LMR14206XMK-NOPB

    Switching Voltage Regulators SIMPLE SWITCHER 42 Vin,0.6A SD Vltg Reg
    C3M0120090J-TR

    Mfr.#: C3M0120090J-TR

    OMO.#: OMO-C3M0120090J-TR

    MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
    ECS-250-18-33-JGN-TR

    Mfr.#: ECS-250-18-33-JGN-TR

    OMO.#: OMO-ECS-250-18-33-JGN-TR

    Crystals 25MHz 18pF 20ppm -40C +85C
    FSA4476UCX

    Mfr.#: FSA4476UCX

    OMO.#: OMO-FSA4476UCX-ON-SEMICONDUCTOR

    USB/AUDIO SWITCH WITH OVP FOR US
    LMR14206XMK/NOPB

    Mfr.#: LMR14206XMK/NOPB

    OMO.#: OMO-LMR14206XMK-NOPB-TEXAS-INSTRUMENTS

    Voltage Regulators - Switching Regulators SIMPLE SWITCHER 42 Vin,0.6A SD Vltg Reg
    GS74108AGP-12

    Mfr.#: GS74108AGP-12

    OMO.#: OMO-GS74108AGP-12-241

    SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 12ns 44-Pin TSOP-II Tray - Trays (Alt: GS74108AGP-12)
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    108
    Auf Bestellung:
    2091
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    13,31 $
    13,31 $
    10
    12,25 $
    122,50 $
    25
    11,19 $
    279,75 $
    50
    10,73 $
    536,50 $
    100
    10,28 $
    1 028,00 $
    250
    9,52 $
    2 380,00 $
    500
    8,77 $
    4 385,00 $
    1000
    8,32 $
    8 320,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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