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SIHF540S-GE3

SIHF540S-GE3
Mfr. #:
SIHF540S-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHF540S-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
77 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
72 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
150 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
4.83 mm
Länge:
10.67 mm
Serie:
SIHF
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.65 mm
Marke:
Vishay / Siliconix
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
8.7 S
Abfallzeit:
43 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
44 ns
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
53 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
11 ns
Tags
SIHF54, SIHF5, SIHF, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
***ark
Mosfet N-Channel 100V
*** Europe
N-CH SINGLE 100V TO263
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHF540S-GE3
DISTI # V36:1790_09219023		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
RoHS: Compliant		0
  • 1000000:$0.6627
  • 500000:$0.6659
  • 100000:$0.9900
  • 10000:$1.5890
  • 1000:$1.6900
SIHF540S-GE3
DISTI # SIHF540S-GE3		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET N-CH 100V 28A 3-PIN(2+TAB) D2PAK - Rail/Tube (Alt: SIHF540S-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Americas - 0
  • 10000:$0.6229
  • 6000:$0.6399
  • 4000:$0.6579
  • 2000:$0.6859
  • 1000:$0.7069
SIHF540S-GE3
DISTI # 78-SIHF540S-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
RoHS: Compliant		1000
  • 1:$1.6900
  • 10:$1.3900
  • 100:$1.0700
  • 500:$0.9230
  • 1000:$0.7280
  • 2500:$0.6800
  • 5000:$0.6460
  • 10000:$0.6220
SIHF540SGE3Vishay SiliconixPower Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RoHS: Compliant		700
    Bild Teil # Beschreibung
    SIHF540S-GE3

    Mfr.#: SIHF540S-GE3

    OMO.#: OMO-SIHF540S-GE3

    		 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
    SIHF540STRL-GE3

    Mfr.#: SIHF540STRL-GE3

    OMO.#: OMO-SIHF540STRL-GE3

    		 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
    SIHF540S-GE3

    Mfr.#: SIHF540S-GE3

    OMO.#: OMO-SIHF540S-GE3-1190

    		 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    SIHF540SGE3

    Mfr.#: SIHF540SGE3

    OMO.#: OMO-SIHF540SGE3-1190

    		 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    SIHF540STRL-GE3

    Mfr.#: SIHF540STRL-GE3

    OMO.#: OMO-SIHF540STRL-GE3-1190

    		 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    996
    Auf Bestellung:
    2979
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    ext. Preis
    1
    1,69 $
    1,69 $
    10
    1,39 $
    13,90 $
    100
    1,07 $
    107,00 $
    500
    0,92 $
    461,50 $
    1000
    0,73 $
    728,00 $
    2500
    0,68 $
    1 700,00 $
    5000
    0,65 $
    3 230,00 $
    10000
    0,62 $
    6 220,00 $
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