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IXFN32N80P

IXFN32N80P
Mfr. #:
IXFN32N80P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN32N80P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFN32N80P Datasheet
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFN32N80P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Chassishalterung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
270 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
625 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.23 mm
Serie:
IXFN32N80
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
25.42 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
26 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
29 ns
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
IXFN32N, IXFN32, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Cannel 800 V 29 A 270 mO Surface Mount PolarHV Power Mosfet - SOT-227
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN32N80P
DISTI # IXFN32N80P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$19.4200
IXFN32N80P
DISTI # 747-IXFN32N80P		IXYS CorporationMOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
RoHS: Compliant		68
  • 1:$24.5600
  • 10:$22.3300
  • 20:$20.6500
  • 50:$19.0000
  • 100:$18.5400
  • 200:$16.9900
  • 500:$15.4200
Bild Teil # Beschreibung
IXFN340N07

Mfr.#: IXFN340N07

OMO.#: OMO-IXFN340N07

 MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
IXFN320N17T2

Mfr.#: IXFN320N17T2

OMO.#: OMO-IXFN320N17T2

 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN36N60

Mfr.#: IXFN36N60

OMO.#: OMO-IXFN36N60

 MOSFET 600V 36A
IXFN300N10P

Mfr.#: IXFN300N10P

OMO.#: OMO-IXFN300N10P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
IXFN360N15

Mfr.#: IXFN360N15

OMO.#: OMO-IXFN360N15-1190

 Neu und Original
IXFN36N110P

Mfr.#: IXFN36N110P

OMO.#: OMO-IXFN36N110P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
IXFN36N60

Mfr.#: IXFN36N60

OMO.#: OMO-IXFN36N60-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 600V 36A
IXFN340N06

Mfr.#: IXFN340N06

OMO.#: OMO-IXFN340N06-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds
IXFN38N80Q2

Mfr.#: IXFN38N80Q2

OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
IXFN34N80

Mfr.#: IXFN34N80

OMO.#: OMO-IXFN34N80-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
68
Auf Bestellung:
2051
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
24,56 $
24,56 $
10
22,33 $
223,30 $
20
20,65 $
413,00 $
50
19,00 $
950,00 $
100
18,54 $
1 854,00 $
200
16,99 $
3 398,00 $
500
15,42 $
7 710,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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