IXFN34N80

IXFN34N80
Mfr. #:
IXFN34N80
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN34N80 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Modul
Serie
IXFN34N80
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
SOT-227-4
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Dual Source
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
600 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
40 ns
Anstiegszeit
45 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
34 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
800 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
240 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
100 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
45 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFN34, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
***ark
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:34A; Resistance, Rds on:0.24R; Case style:SOT-227B (ISOTOP); Current, Idm pulse:136A; Energy, avalanche repetitive Ear:64mJ; Energy, avalanche single pulse Eas:3J; Power RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:34A; Resistance, Rds On:0.24ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:ISOTOP; Termination Type:Screw; Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J; Current, Idm Pulse:136A; Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ; Power Dissipation:600W; Power, Pd:600W; Resistance, Rds on Max:0.24ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Isolation:2500V; Voltage, Vds Max:800V; Voltage, Vgs th Max:5V; Weight:0.000036kg
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN34N80
DISTI # IXFN34N80-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$30.7470
IXFN34N80
DISTI # 747-IXFN34N80
IXYS CorporationMOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$30.7500
  • 30:$28.2600
  • 50:$27.0500
  • 100:$26.2600
  • 200:$24.1000
Bild Teil # Beschreibung
IXFN70N100X

Mfr.#: IXFN70N100X

OMO.#: OMO-IXFN70N100X

MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
IXFN170N30P

Mfr.#: IXFN170N30P

OMO.#: OMO-IXFN170N30P

MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
IXFN70N120SK

Mfr.#: IXFN70N120SK

OMO.#: OMO-IXFN70N120SK

MOSFET SiC Power MOSFET
IXFN44N60

Mfr.#: IXFN44N60

OMO.#: OMO-IXFN44N60

MOSFET 44 Amps 600V
IXFN230N10

Mfr.#: IXFN230N10

OMO.#: OMO-IXFN230N10

MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
IXFN110N60P3

Mfr.#: IXFN110N60P3

OMO.#: OMO-IXFN110N60P3-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
IXFN160N30T

Mfr.#: IXFN160N30T

OMO.#: OMO-IXFN160N30T-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
IXFN21N100Q

Mfr.#: IXFN21N100Q

OMO.#: OMO-IXFN21N100Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
IXFN36N100

Mfr.#: IXFN36N100

OMO.#: OMO-IXFN36N100-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
IXFN102N30P

Mfr.#: IXFN102N30P

OMO.#: OMO-IXFN102N30P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
Verfügbarkeit
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Available
Auf Bestellung:
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1
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36,15 $
10
34,34 $
343,42 $
100
32,54 $
3 253,50 $
500
30,73 $
15 363,75 $
1000
28,92 $
28 920,00 $
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