IXFN36N100

IXFN36N100
Mfr. #:
IXFN36N100
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN36N100 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Modul
Serie
IXFN36N100
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
SOT-227-4
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Dual Source
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
700 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
30 ns
Anstiegszeit
55 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
36 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
240 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
110 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
41 ns
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
40 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFN36N, IXFN36, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 1000 Vds 240 mOhm 700 W Power Mosfet - SOT-227B
***trelec
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-227B Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 700 W
***ark
Mosfet, N, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:1Kv; Continuous Drain Current Id:36A; On Resistance Rds(On):0.24Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V Rohs Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN36N100
DISTI # IXFN36N100-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
425In Stock
  • 100:$43.6650
  • 30:$46.5760
  • 10:$50.3600
  • 1:$53.8500
IXFN36N100
DISTI # 14J1688
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:36A,Drain Source Voltage Vds:1kV,On Resistance Rds(on):0.24ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:5V,Power Dissipation Pd:700W RoHS Compliant: Yes19
  • 100:$43.6600
  • 50:$45.2000
  • 25:$46.5800
  • 10:$50.3600
  • 5:$51.9600
  • 1:$53.8500
IXFN36N100IXYS CorporationSingle N-Channel 1000 Vds 240 mOhm 700 W Power Mosfet - SOT-227B
RoHS: Compliant
3Tube
  • 1:$42.8100
  • 2:$40.8500
  • 5:$38.4000
  • 10:$36.6500
  • 25:$34.4500
IXFN36N100
DISTI # 747-IXFN36N100
IXYS CorporationMOSFET 1KV 36A
RoHS: Compliant
0
  • 1:$53.8500
  • 5:$51.9600
  • 10:$50.3600
  • 25:$46.5800
  • 50:$45.2000
  • 100:$43.6600
IXFN36N100
DISTI # 193795
IXYS CorporationMOSFET N-CHANNEL 1KV 36A SOT227B, EA174
  • 50:£31.7700
  • 20:£32.4200
  • 10:£33.5900
  • 5:£35.1500
  • 1:£39.0600
IXFN36N100
DISTI # 4905556
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant
19
  • 100:$69.1000
  • 30:$73.7000
  • 10:$79.6900
  • 1:$85.2100
IXFN36N100
DISTI # 4905556
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant
19
  • 50:£32.3300
  • 10:£36.9600
  • 5:£41.2400
  • 1:£42.7300
IXFN36N100
DISTI # XSFP00000002803
IXYS Corporation 
RoHS: Compliant
30 in Stock0 on Order
  • 30:$54.1500
  • 10:$66.6500
Bild Teil # Beschreibung
IXFN38N100P

Mfr.#: IXFN38N100P

OMO.#: OMO-IXFN38N100P

MOSFET 38 Amps 1000V
IXFN360N10T

Mfr.#: IXFN360N10T

OMO.#: OMO-IXFN360N10T

MOSFET 360 Amps 100V
IXFN32N80P

Mfr.#: IXFN32N80P

OMO.#: OMO-IXFN32N80P

MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
IXFN320N17T2

Mfr.#: IXFN320N17T2

OMO.#: OMO-IXFN320N17T2

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN300N10P

Mfr.#: IXFN300N10P

OMO.#: OMO-IXFN300N10P

MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN34N80

Mfr.#: IXFN34N80

OMO.#: OMO-IXFN34N80

MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
IXFN32N100P

Mfr.#: IXFN32N100P

OMO.#: OMO-IXFN32N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
IXFN30N110P

Mfr.#: IXFN30N110P

OMO.#: OMO-IXFN30N110P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
IXFN36N60

Mfr.#: IXFN36N60

OMO.#: OMO-IXFN36N60-IXYS-CORPORATION

MOSFET 600V 36A
IXFN32N80P

Mfr.#: IXFN32N80P

OMO.#: OMO-IXFN32N80P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
60,28 $
60,28 $
10
57,27 $
572,71 $
100
54,26 $
5 425,65 $
500
51,24 $
25 621,15 $
1000
48,23 $
48 228,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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