ZXMC3AM832TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

T

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.7 A, 2.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Pd - Verlustleistung:

2.45 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2.9 ns, 7.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.3 ns, 2.8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.6 ns, 11.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.7 ns, 1.5 ns

Gewichtseinheit:

0.010582 oz

Tags

ZXMC3AM, ZXMC3A, ZXMC3, ZXMC, ZXM