RFD10P03LSM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

200 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

65 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

RFD10P03LS, RFD10P03L, RFD10P03, RFD10P0, RFD10P, RFD10, RFD1, RFD