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IXFT36N60P

IXFT36N60P
Mfr. #:
IXFT36N60P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 600V 36A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFT36N60P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFT36N60P DatasheetIXFT36N60P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFT36N60P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-268-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
190 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
102 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
650 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
5.1 mm
Länge:
16.05 mm
Serie:
IXFT36N60
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
PolarHV HiPerFET Leistungs-MOSFET
Breite:
14 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
25 S
Abfallzeit:
22 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
25 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Gewichtseinheit:
0.158733 oz
Tags
IXFT3, IXFT, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 36 A 190 mO Surface Mount PolarHV HiPerFET Power Mosfet - TO-268
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 36A TO268
***ark
MOSFET, N, TO-268
***el Nordic
Contact for details
***nell
MOSFET, N, TO-268; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 36A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 650W; Transistor Case Style: TO-268; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ: 5800pF; Current Id Max: 36A; Junction to Case Thermal Resistance A: 0.19°C/W; N-channel Gate Charge: 102nC; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Reverse Recovery Time trr Max: 200ns; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFT36N60P
DISTI # IXFT36N60P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.7697
IXFT36N60P
DISTI # 747-IXFT36N60P		IXYS CorporationMOSFET 600V 36A
RoHS: Compliant		0
  • 1:$10.8900
  • 10:$9.8100
  • 25:$8.1600
  • 50:$7.5800
  • 100:$7.4100
  • 250:$6.7700
  • 500:$6.1700
  • 1000:$5.8900
IXFT36N60P
DISTI # 1427341		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-268
RoHS: Compliant		0
  • 1000:$9.0600
  • 500:$9.4900
  • 250:$10.4100
  • 100:$11.4000
  • 50:$11.6500
  • 25:$12.5500
  • 10:$15.0800
  • 1:$16.7400
Bild Teil # Beschreibung
IXFT36N50P

Mfr.#: IXFT36N50P

OMO.#: OMO-IXFT36N50P

 MOSFET 500V 36A
IXFT30N60P

Mfr.#: IXFT30N60P

OMO.#: OMO-IXFT30N60P

 MOSFET 600V 30A
IXFT30N40Q

Mfr.#: IXFT30N40Q

OMO.#: OMO-IXFT30N40Q

 MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
IXFT320N10T2

Mfr.#: IXFT320N10T2

OMO.#: OMO-IXFT320N10T2-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
IXFT32N50Q

Mfr.#: IXFT32N50Q

OMO.#: OMO-IXFT32N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 500V 32A
IXFT32N50

Mfr.#: IXFT32N50

OMO.#: OMO-IXFT32N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
IXFT30N50Q

Mfr.#: IXFT30N50Q

OMO.#: OMO-IXFT30N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
IXFT30N50

Mfr.#: IXFT30N50

OMO.#: OMO-IXFT30N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
IXFT340N075T2

Mfr.#: IXFT340N075T2

OMO.#: OMO-IXFT340N075T2-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
IXFT36N60P

Mfr.#: IXFT36N60P

OMO.#: OMO-IXFT36N60P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 600V 36A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2000
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
10,89 $
10,89 $
10
9,81 $
98,10 $
25
8,16 $
204,00 $
50
7,58 $
379,00 $
100
7,41 $
741,00 $
250
6,77 $
1 692,50 $
500
6,17 $
3 085,00 $
1000
5,89 $
5 890,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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