CSD23381F4T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PICOSTAR-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

970 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

950 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.35 mm

Länge:

1 mm

Serie:

CSD23381F4

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

0.64 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.9 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000014 oz

Tags

CSD23381, CSD2338, CSD233, CSD23, CSD2, CSD