BSL214NH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

140 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

800 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4 S

Abfallzeit:

1.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.1 ns

Teil # Aliase:

BSL214N H6327 SP001100658

Gewichtseinheit:

0.000522 oz

Tags

BSL214NH, BSL214, BSL21, BSL2, BSL