STP13N60DM2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

365 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

10.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.8 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.3 ns

Tags

STP13N60, STP13N6, STP13N, STP13, STP1, STP