RN1131MFV(TPL3)

RN1131MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1131MFV(TPL3)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1131MFV(TPL3) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
N
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
100 kOhms
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VESM-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1131MFV
Verpackung:
Spule
Kollektor- Basisspannung VCBO:
50 V
DC-Stromverstärkung hFE Max:
700
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Höhe:
0.5 mm
Länge:
1.2 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Typ:
Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor
Breite:
0.8 mm
Marke:
Toshiba
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1131MFV(T, RN1131, RN113, RN11, RN1
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*** Americas
Bias resistor built-in transistor (BRT)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1131MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1131MFV(TPL3)
Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms
RoHS: Not compliant
0
    Bild Teil # Beschreibung
    RN1131MFV(TL3,T)

    Mfr.#: RN1131MFV(TL3,T)

    OMO.#: OMO-RN1131MFV-TL3-T-

    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
    RN1131MFV(TPL3)

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    Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms
    RN1131MFV(TL3,T)

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    OMO.#: OMO-RN1131MFV-TL3-T--TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
    RN1131MFV(TPL3)

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    Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms
    RN1131MFV(TL3T)CT-ND

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    OMO.#: OMO-RN1131MFV-TL3T-CT-ND-1190

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    OMO.#: OMO-RN1131MFV-TL3T-DKR-ND-1190

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