TPS1120DG4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

15 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

2 V, - 15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 125 C

Pd - Verlustleistung:

840 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

TPS1120

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

Dualer P-Kanal Enhancement-Modus

Breite:

3.9 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.002677 oz

Tags

TPS1120D, TPS112, TPS11, TPS1, TPS