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IPB04CN10N G

IPB04CN10N G
Mfr. #:
IPB04CN10N G
Hersteller:
Infineon Technologies AG
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB04CN10N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Tags
IPB04, IPB0, IPB
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Packaging Boxes
***nell
MOSFET, N CH, 100A, 100V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N; Current Id Max:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO263; No. of Pins:3; Transistor Type:Power MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB04CN10N G
DISTI # 726-IPB04CN10NG		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    IPB04CN10N G

    Mfr.#: IPB04CN10N G

    OMO.#: OMO-IPB04CN10N-G-1190

    		 MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
    IPB04CN10NG

    Mfr.#: IPB04CN10NG

    OMO.#: OMO-IPB04CN10NG-1190

    		 Neu und Original
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