RF1S45N06LE

RF1S45N06LE
Mfr. #:
RF1S45N06LE
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RF1S45N06LE Datenblatt
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Tags
RF1S45N06L, RF1S45N06, RF1S45, RF1S4, RF1S, RF1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***pNet
45A 60V 0.028ohm, N-CH Si, PMOS TO-262AA
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RF1S45N06LEHarris SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
RoHS: Not Compliant
1530
  • 1000:$0.8800
  • 500:$0.9300
  • 100:$0.9700
  • 25:$1.0100
  • 1:$1.0900
RF1S45N06LESMHarris SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RoHS: Not Compliant
843
  • 1000:$0.8800
  • 500:$0.9300
  • 100:$0.9700
  • 25:$1.0100
  • 1:$1.0900
RF1S45N06LESM9AHarris SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RoHS: Not Compliant
1600
  • 1000:$0.8600
  • 500:$0.9000
  • 100:$0.9400
  • 25:$0.9800
  • 1:$1.0500
Bild Teil # Beschreibung
RF1S40N10

Mfr.#: RF1S40N10

OMO.#: OMO-RF1S40N10-1190

MOSFET
RF1S40N10LE

Mfr.#: RF1S40N10LE

OMO.#: OMO-RF1S40N10LE-1190

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
RF1S40N10LESM9A

Mfr.#: RF1S40N10LESM9A

OMO.#: OMO-RF1S40N10LESM9A-1190

MOSFET 100V Single
RF1S40N10SM9A

Mfr.#: RF1S40N10SM9A

OMO.#: OMO-RF1S40N10SM9A-1190

MOSFET
RF1S42N03LSM9AS2495

Mfr.#: RF1S42N03LSM9AS2495

OMO.#: OMO-RF1S42N03LSM9AS2495-1190

Neu und Original
RF1S45N03L

Mfr.#: RF1S45N03L

OMO.#: OMO-RF1S45N03L-1190

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
RF1S45N06LSM

Mfr.#: RF1S45N06LSM

OMO.#: OMO-RF1S45N06LSM-1190

Neu und Original
RF1S45N06SM

Mfr.#: RF1S45N06SM

OMO.#: OMO-RF1S45N06SM-1190

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RF1S45N06SM9A

Mfr.#: RF1S45N06SM9A

OMO.#: OMO-RF1S45N06SM9A-1190

Neu und Original
RF1S4N100SM9A

Mfr.#: RF1S4N100SM9A

OMO.#: OMO-RF1S4N100SM9A-1190

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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ext. Preis
1
1,32 $
1,32 $
10
1,25 $
12,54 $
100
1,19 $
118,80 $
500
1,12 $
561,00 $
1000
1,06 $
1 056,00 $
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