CGHV40030F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

16 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

2.6 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.2 A

Ausgangsleistung:

30 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

440166

Verpackung:

Tablett

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Höhe:

3.43 mm

Länge:

14.09 mm

Arbeitsfrequenz:

0.96 GHz to 1.4 GHz

Betriebstemperaturbereich:

- 40 C to + 150 C

Produkt:

GaN HEMT

Breite:

4.19 mm

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Gate-Source-Abschaltspannung:

- 10 V to + 2 V

Klasse:

-

Entwicklungs-Kit:

CGHV40030-TB1

Abfallzeit:

-

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

-

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

-

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Tags

CGHV400, CGHV4, CGHV, CGH