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IXTP30N25L2

IXTP30N25L2
Mfr. #:
IXTP30N25L2
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-220AB/FP
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTP30N25L2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungs-MOSFET-Module
Typ:
Linear L2
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Rohr
Aufbau:
Single
Marke:
IXYS
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Abfallzeit:
23 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30 A
Pd - Verlustleistung:
355 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
140 mOhms
Anstiegszeit:
78 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Handelsname:
Linear L2
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
22 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
250 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.5 V
Tags
IXTP30, IXTP3, IXTP, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
IXTP3N100P

Mfr.#: IXTP3N100P

OMO.#: OMO-IXTP3N100P

 MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds
IXTP340N04T4

Mfr.#: IXTP340N04T4

OMO.#: OMO-IXTP340N04T4

 MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
IXTP36N30T

Mfr.#: IXTP36N30T

OMO.#: OMO-IXTP36N30T

 MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
IXTP36N20T

Mfr.#: IXTP36N20T

OMO.#: OMO-IXTP36N20T

 MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds
IXTP3P50A

Mfr.#: IXTP3P50A

OMO.#: OMO-IXTP3P50A-1190

 Neu und Original
IXTP3N100P

Mfr.#: IXTP3N100P

OMO.#: OMO-IXTP3N100P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds
IXTP3N50P

Mfr.#: IXTP3N50P

OMO.#: OMO-IXTP3N50P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
IXTP32P05T

Mfr.#: IXTP32P05T

OMO.#: OMO-IXTP32P05T-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds
IXTP3N60P

Mfr.#: IXTP3N60P

OMO.#: OMO-IXTP3N60P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 3 Amps 600V
IXTP36N20T

Mfr.#: IXTP36N20T

OMO.#: OMO-IXTP36N20T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
14,34 $
14,34 $
10
13,03 $
130,30 $
25
12,05 $
301,25 $
50
11,09 $
554,50 $
100
10,82 $
1 082,00 $
250
9,92 $
2 480,00 $
500
9,00 $
4 500,00 $
1000
8,22 $
8 220,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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