IXTQ50N25T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

60 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

78 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

400 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.8 mm

Serie:

IXTQ50N25

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Trench Gate Leistungs-MOSFET

Breite:

4.9 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

35 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

47 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTQ50, IXTQ5, IXTQ, IXT