CSD16327Q3T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

900 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V, - 8 V

Qg - Gate-Ladung:

8.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

74 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

CSD16327Q3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

96 S

Abfallzeit:

6.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.3 ns

Gewichtseinheit:

0.001570 oz

Tags

CSD16327, CSD1632, CSD163, CSD16, CSD1, CSD