SQS481ENW-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-1212-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.095 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

62.5 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

2.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.1 ns

Tags

SQS48, SQS4, SQS