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TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4
Mfr. #:
TH58BYG2S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58BYG2S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
4 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
512 M x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58BYG2, TH58BY, TH58B, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M X 8bit 25ns 63-Pin FBGA Tray
***i-Key
4G SLC NAND BGA 24NM
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58BYG2S3HBAI4
DISTI # TH58BYG2S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products4G SLC NAND BGA 24NM
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$5.7350
TH58BYG2S3HBAI4
DISTI # TH58BYG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M X 8bit 25ns 63-Pin FBGA Tray - Trays (Alt: TH58BYG2S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$4.7900
  • 420:$4.6900
  • 840:$4.5900
  • 1260:$4.5900
  • 2100:$4.3900
TH58BYG2S3HBAI4
DISTI # 757-TH58BYG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		0
  • 1:$7.7500
  • 10:$6.9800
  • 25:$6.3600
  • 100:$5.7400
  • 250:$5.2800
  • 500:$4.8100
  • 1000:$4.1900
Bild Teil # Beschreibung
TH58BYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6

 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4

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 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG3S0HBAI4

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 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG2S3HBAI6

Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6

OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG2S3HBAI6

Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6

OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
TH58BYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V Benand
TH58BYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 4G SLC NAND BGA 24NM Benand
TH58BYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4-1190

 8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
TH58BYG2S3HBAI4-ND

Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-ND-1190

 Neu und Original
TH58BYG3S0HBAI6-ND

Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-ND-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
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Available
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
7,75 $
7,75 $
10
6,98 $
69,80 $
25
6,36 $
159,00 $
100
5,74 $
574,00 $
250
5,28 $
1 320,00 $
500
4,81 $
2 405,00 $
1000
4,19 $
4 190,00 $
2500
4,04 $
10 100,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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