IPD068N10N3GBTMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

68 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

XPD068N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

54 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

37 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Teil # Aliase:

G IPD068N10N3 IPD068N10N3GXT SP000469892

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPD068N10N3G, IPD068N, IPD068, IPD06, IPD0, IPD