IXFP5N50P3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.65 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

6.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

114 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXFP5N50

Typ:

Polar3 HiperFET Power MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.012346 oz

Tags

IXFP5N, IXFP5, IXFP, IXF