IXFN27N80

IXFN27N80
Mfr. #:
IXFN27N80
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 800V 27A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN27N80 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFN27N80 DatasheetIXFN27N80 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Chassishalterung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
27 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
300 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
520 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.23 mm
Serie:
IXFN27N80
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
25.42 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
28 S
Abfallzeit:
40 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
80 ns
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
IXFN27, IXFN2, IXFN, IXF
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 800 Vds 320 mOhm 520 W Power Mosfet - SOT-227B
***ukat
N-Ch 800V 27A 520W 0,30R SOT227B
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
***omponent
IXYS Power Transistor Module
***el Nordic
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN27N80
DISTI # IXFN27N80-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
93In Stock
  • 250:$23.3450
  • 100:$25.4380
  • 30:$27.3700
  • 10:$29.7850
  • 1:$32.2000
IXFN27N80Q
DISTI # IXFN27N80Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$29.7850
IXFN27N80
DISTI # 747-IXFN27N80
IXYS CorporationMOSFET 800V 27A
RoHS: Compliant
0
    IXFN27N80Q
    DISTI # 747-IXFN27N80Q
    IXYS CorporationMOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
    RoHS: Compliant
    0
      IXFN27N80Q
      DISTI # 4905593
      IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
      RoHS: Compliant
      0
      • 1:£21.7200
      • 5:£21.4100
      • 10:£21.1100
      • 50:£20.8000
      • 100:£18.5200
      Bild Teil # Beschreibung
      IXFN32N120P

      Mfr.#: IXFN32N120P

      OMO.#: OMO-IXFN32N120P

      MOSFET 32 Amps 1200V
      IXFN32N100P

      Mfr.#: IXFN32N100P

      OMO.#: OMO-IXFN32N100P

      MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
      IXFN180N20

      Mfr.#: IXFN180N20

      OMO.#: OMO-IXFN180N20

      MOSFET 200V 180A
      IXFN70N60Q2

      Mfr.#: IXFN70N60Q2

      OMO.#: OMO-IXFN70N60Q2

      MOSFET 70 Amps 600V
      IXFN180N07

      Mfr.#: IXFN180N07

      OMO.#: OMO-IXFN180N07

      MOSFET 180 Amps 70V 0.007 Rds
      IXFN360N15T2

      Mfr.#: IXFN360N15T2

      OMO.#: OMO-IXFN360N15T2-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
      IXFN80N50

      Mfr.#: IXFN80N50

      OMO.#: OMO-IXFN80N50-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
      IXFN74N100X

      Mfr.#: IXFN74N100X

      OMO.#: OMO-IXFN74N100X-1190

      MOSFET 1000V 74A ULTRA JUNCTION
      IXFN64N50PD2

      Mfr.#: IXFN64N50PD2

      OMO.#: OMO-IXFN64N50PD2-IXYS-CORPORATION

      Discrete Semiconductor Modules 64 Amps 500V
      IXFN38N100Q2

      Mfr.#: IXFN38N100Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

      MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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      30
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      50
      26,21 $
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      100
      25,44 $
      2 544,00 $
      200
      23,34 $
      4 668,00 $
      500
      22,22 $
      11 110,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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