IXDR35N60BD1

IXDR35N60BD1
Mfr. #:
IXDR35N60BD1
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 35 Amps 600V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXDR35N60BD1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXDR35N60BD1 DatasheetIXDR35N60BD1 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
ISOPLUS-247-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
38 A
Pd - Verlustleistung:
125 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXDR35N60B
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
48 A
Höhe:
21.34 mm
Länge:
16.13 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 150 C
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
38 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
500 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.186952 oz
Tags
IXDR3, IXDR, IXD
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Anti-Static Bag
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    A***v
    A***v
    RU

    Excellent

    2019-05-04
    R***k
    R***k
    PL

    I got a package, thank you. I'm very satisfied

    2019-06-04
***ure Electronics
IXDR Series 600 Vce 38 A 30 ns t(on) IGBT w/ Optional Diode - ISOPLUS 247
***i-Key
IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
***ark
IGBT, ISOPLUS247; Transistor type:NPT; Voltage, Vces:600V; Current, Ic continuous a max:38A; Voltage, Vce sat max:2.7V; Case style:ISOPLUS-247; Pin configuration:Copack (FRD); Thermal resistance, junction to case a:1(degree C)/W; RoHS Compliant: Yes
***nell
IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:NPT; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:38A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:125W; Case Style:ISOPLUS-247; Termination Type:Through Hole; Pin Configuration:Copack (FRD); Thermal Resistance, Junction to Case A:1°C/W; Time, Fall:70ns; Time, Rise:70ns
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXDR35N60BD1
DISTI # IXDR35N60BD1-ND
IXYS CorporationIGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.8350
IXDR35N60BD1
DISTI # 747-IXDR35N60BD1
IXYS CorporationIGBT Transistors 35 Amps 600V
RoHS: Compliant
1
  • 1:$9.5500
  • 10:$8.6000
  • 25:$7.8400
  • 50:$7.1600
  • 100:$7.0700
  • 250:$6.4400
  • 500:$5.9300
  • 1000:$5.1600
Bild Teil # Beschreibung
NTD20P06LT4G

Mfr.#: NTD20P06LT4G

OMO.#: OMO-NTD20P06LT4G

MOSFET -60V -15.5A P-Channel
ATTINY85-20SU

Mfr.#: ATTINY85-20SU

OMO.#: OMO-ATTINY85-20SU

8-bit Microcontrollers - MCU AVR 8K FLSH 512B EE 512B SRAM ADC 5V
IXA37IF1200HJ

Mfr.#: IXA37IF1200HJ

OMO.#: OMO-IXA37IF1200HJ

IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
IXGR48N60B3D1

Mfr.#: IXGR48N60B3D1

OMO.#: OMO-IXGR48N60B3D1

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IXDR30N120D1

Mfr.#: IXDR30N120D1

OMO.#: OMO-IXDR30N120D1

IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXA55I1200HJ

Mfr.#: IXA55I1200HJ

OMO.#: OMO-IXA55I1200HJ

IGBT Transistors XPT 1200V 84A Single IGBT
SGTL5000XNAA3R2

Mfr.#: SGTL5000XNAA3R2

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IC AUDIO CODEC STEREO 32-QFN
RT0402FRE074K7L

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OMO.#: OMO-RT0402FRE074K7L-YAGEO

Thin Film Resistors - SMD 1/16W 4.7K ohm 1% 50ppm
ATTINY85-20SU

Mfr.#: ATTINY85-20SU

OMO.#: OMO-ATTINY85-20SU-MICROCHIP-TECHNOLOGY

Microcontrollers - MCU 8-bit Microcontrollers - MCU AVR 8K FLSH 512B EE 512B SRAM ADC 5V
NTD20P06LT4G

Mfr.#: NTD20P06LT4G

OMO.#: OMO-NTD20P06LT4G-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Verfügbarkeit
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Auf Bestellung:
1984
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9,55 $
10
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25
7,84 $
196,00 $
50
7,16 $
358,00 $
100
7,07 $
707,00 $
250
6,44 $
1 610,00 $
500
5,93 $
2 965,00 $
1000
5,16 $
5 160,00 $
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