GA05JT03-46

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

GeneSiC Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-46-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

620 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

14.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 225 C

Pd - Verlustleistung:

20 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

GeneSiC Halbleiter

Abfallzeit:

12.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.6 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Tags

GA05J, GA05, GA0