IPD50R399CPBTMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

360 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

XPD50R399

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Teil # Aliase:

IPD50R399CPBTMA1 SP000307379

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPD50R39, IPD50R3, IPD50R, IPD50, IPD5, IPD