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IPD90R1K2C3

IPD90R1K2C3
Mfr. #:
IPD90R1K2C3
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPD90R1K2C3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
CoolMOS
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3XT SP000413720
Gewichtseinheit
0.139332 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
CoolMOS
Paket-Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PG-TO252-3
Aufbau
Single
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
83W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
900V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
710pF @ 100V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
5.1A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3.5V @ 310μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
28nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
83 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
40 ns
Anstiegszeit
20 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
5.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
900 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
1.2 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
400 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
70 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IPD90R, IPD90, IPD9, IPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPD90R1K2C3BTMA1
DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPD90R1K2C3BTMA1
    DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IPD90R1K2C3BTMA1
      DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1DKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IPD90R1K2C3BTMA1
        DISTI # 2726059        		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3
        RoHS: Compliant        		0
        • 1000:$1.1400
        • 500:$1.4400
        • 100:$1.7400
        • 10:$2.2300
        • 1:$2.5000
        Bild Teil # Beschreibung
        IPD90N10S4L06ATMA1

        Mfr.#: IPD90N10S4L06ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N10S4L06ATMA1

        		 MOSFET MOSFET
        IPD90N03S4L-02

        Mfr.#: IPD90N03S4L-02

        OMO.#: OMO-IPD90N03S4L-02

        		 MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        IPD90P04P4-05

        Mfr.#: IPD90P04P4-05

        OMO.#: OMO-IPD90P04P4-05

        		 MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
        IPD90N03S4L02ATMA1

        Mfr.#: IPD90N03S4L02ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N03S4L02ATMA1

        		 MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        IPD90N04S4-04(SP0006461

        Mfr.#: IPD90N04S4-04(SP0006461

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4-04-SP0006461-1190

        		 Neu und Original
        IPD90N04S4L-04.

        Mfr.#: IPD90N04S4L-04.

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4L-04--1190

        		 Neu und Original
        IPD90N04SL-04

        Mfr.#: IPD90N04SL-04

        OMO.#: OMO-IPD90N04SL-04-1190

        		 Neu und Original
        IPD90N06S4L06ATMA1

        Mfr.#: IPD90N06S4L06ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N06S4L06ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
        IPD90P04P4L-04

        Mfr.#: IPD90P04P4L-04

        OMO.#: OMO-IPD90P04P4L-04-1190

        		 Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
        IPD90N04S4-03

        Mfr.#: IPD90N04S4-03

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4-03-317

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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        Available
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